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问答答案 Dwk7a 2022-07-04 09:58:24 839次浏览 88736个评论

模块一半导体器件

本征半导体随堂测验

1、半导体中的载流子为( )。
    A、电子
    B、空穴
    C、正离子
    D、电子和空穴

2、当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面说法正确的是( )。
    A、空穴个数增加,自由电子个数基本不变
    B、空穴和自由电子的个数都增加,且数量相等
    C、自由电子个数增加,空穴个数基本不变
    D、空穴和自由电子的个数均保持不变

3、半导体的导电能力介乎于 和 之间。

4、共价键中的两个电子,被称为 。

5、当半导体两端外加电压时,半导体中将出现两部分电流:一是自由电子作定向运动所形成的 电流;另一部分是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 电流。

N型半导体和P型半导体随堂测验

1、在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成 。

2、半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。

3、在 P 型半导体中 是多数载流子, 是少数载流子。

4、在N 型半导体中 是多数载流子, 是少数载流子。

5、N型半导体主要靠 导电,P型半导体主要靠 导电。

PN结及其单向导电性随堂测验

1、PN结具有 性能,即加正向电压时,PN结 ,加反向电压时,PN结 。

2、PN结的正向接法是P型区接电源的 极,N型区接电源的 极。

3、PN 结加正向电压时,其正向电阻 ,正向电流 ,PN结处于 状态。

4、PN 结加反向电压时,其反向电阻 ,反向电流 ,PN结处于 状态。

半导体二极管随堂测验

1、二极管接在电路中,若测得a、b 两端电位如图所示,则二极管工作状态为( )。
    A、截止
    B、导通
    C、击穿
    D、不确定

2、电路如图所示,二极管D为理想元件,US = 5V,则电压uO =( )。
    A、5V
    B、US/2
    C、0V
    D、不确定

3、电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4kW,电位uA=1V,uB=3V,则电位UF等于( )。
    A、1V
    B、3V
    C、12V
    D、-3V

4、电路如图所示,输入信号ui = 6sint V时,二极管D承受的最高反向电压为( )。
    A、6V
    B、3V
    C、9V
    D、0V

5、二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。
    A、击穿电压
    B、死区
    C、饱和
    D、0V

6、若用万用表测量二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。
    A、正向电阻大,反向电阻小
    B、正、反向电阻相等
    C、反向电阻远大于正向电阻
    D、正、反向电阻都很大

特殊二极管随堂测验

1、衡量稳压二极管稳压性能好坏最主要的是一个参数是( )。
    A、动态电阻rZ
    B、电压温度系数αu
    C、稳定电压UZ
    D、稳定电流IZ

2、稳压管反向击穿后,其结果为( )。
    A、永久性损坏
    B、只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损
    C、由于击穿而导致性能下降
    D、由于击穿而导致短路

3、温度稳定性最好的稳压管是( )。
    A、具有正温度系数的管子
    B、具有负温度系数的管子
    C、温度稳定系数大的管子
    D、温度稳定系数小的管子

4、电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ = 6V,电源US = 4V,则负载RL两端电压UO为( )。(稳压管正向压降视为0V)
    A、10V
    B、6V
    C、0V
    D、-4V

5、能够进行光电转换的二极管是( )。
    A、发光二极管
    B、光电二极管
    C、稳压二极管
    D、普通二极管

双极型晶体管随堂测验

1、PNP型和NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极( )。
    A、可以调换使用
    B、不可以调换使用
    C、PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用
    D、不确定

2、工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足( )。
    A、发射结正偏,集电结反偏
    B、发射结反偏,集电结正偏
    C、发射结、集电结均反偏
    D、发射结、集电结均正偏

3、晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。
    A、发射结反偏,集电结正偏
    B、发射结、集电结均反偏
    C、发射结、集电结均正偏
    D、发射结正偏,集电结反偏

4、电路如图所示,晶体管处于( )。
    A、饱和状态
    B、放大状态
    C、截止状态
    D、不确定

5、已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V,则2.7V 所对应的电极为( )。
    A、发射极
    B、基极
    C、集电极
    D、不确定

场效晶体管随堂测验

1、某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为( )。
    A、P沟道增强型
    B、N沟道增强型
    C、P沟道耗尽型
    D、N沟道耗尽型

2、某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为( )。
    A、P沟道增强型
    B、N沟道增强型
    C、P沟道耗尽型
    D、N沟道耗尽型

3、与晶体三极管相同,场效应晶体管也是电流控制元件。

4、绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道之分。

5、N沟道增强型场效晶体管,当栅源电压UGS >UGS(th)(开启电压)时,场效晶体管导通,产生漏极电流ID,随栅源电压UGS的变化ID随之变化。

6、场效应晶体管只依靠电子或空穴一种载流子的运动而工作,因此又称场效应晶体管为单极性晶体管。

模块二 集成运算放大器

集成运算放大器简介随堂测验

1、集成运算放大器是 ( ) 。
    A、直接耦合多级放大器
    B、阻容耦合多级放大器
    C、变压器耦合多级放大器
    D、阻抗匹配多级放大器

2、集成运算放大器对输入级的主要要求是( )。
    A、尽可能高的电压放大倍数
    B、尽可能大的带负载能力
    C、尽可能高的输入电阻,尽可能小的零点漂移
    D、尽可能低的电压放大倍数

3、集成运算放大器的共模抑制比越大,表示该组件 ( ) 。
    A、差模信号放大倍数越大
    B、共模信号放大倍数越大
    C、带负载能力越强
    D、抑制零点漂移的能力越强

4、运算放大器接成图示电路后,其输入输出方式为( )。
    A、双端输入、双端输出
    B、双端输入、单端输出
    C、单端输入、单端输出
    D、单端输入、双端输出

5、集成运算放大器的电路通常可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个组成部分。

理想运算放大器及其分析依据随堂测验

1、理想运算放大器理想化的 条件是( )。
    A、电压放大倍数Auo®¥、差模输入电阻 rid® ¥、输出电阻ro®0、共模抑制比KCMRR®¥
    B、电压放大倍数Auo®¥、差模输入电阻rid® 0、输出电阻 ro®¥、共模抑制比KCMRR®0
    C、电压放大倍数Auo®0、差模输入电阻rid® ¥、输出电阻ro®0、共模抑制比KCMRR® 0
    D、电压放大倍数Auo®0、差模输入电阻rid® ¥、输出电阻ro®0、共模抑制比KCMRR®¥

2、理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零,其原因是( )。
    A、同相端和反相端的输入电流,而相位相反
    B、运放的差模输入电阻接近无穷大
    C、运放的开环电压放大倍数接近无穷大
    D、运放的共模电压放大倍数接近无穷大

3、开环工作的理想运算放大器,同相输入时的电压传输特性为( )。
    A、(a)
    B、(b)
    C、(c)
    D、(d)

4、如图所示运算电路,当输入电压ui = 1mV时,则输出电压uO为 ( )。
    A、运放输出的正饱和值 uO (sat)
    B、运放输出的负饱和值-uO (sat)
    C、ui与运放开环放大倍数 Au的乘积
    D、不确定

5、在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运算放大器 ( )。
    A、工作在线性区,降低稳定性
    B、工作在非线性区,提高稳定性
    C、工作在线性区,提高稳定性
    D、工作在非线性区,降低稳定性

比例运算电路随堂测验

1、一个由理想运算放大器组成的同相比例运算电路,其输入输出电阻是( )。
    A、输入电阻低,输出电阻高
    B、输入、输出电阻均很高
    C、输入、输出电阻均很低
    D、输入电阻高,输出电阻低

2、电路如图1所示,R1=10kΩ,RF=100kΩ,平衡电阻R2为( )。
    A、9.09kΩ
    B、33kΩ
    C、100kΩ
    D、110kΩ

3、电路如图所示,R1=10kΩ,RF=100kΩ,若输入电压ui=2V,运放的电源电压为正负15V,则输出电压最接近于( )。
    A、13V
    B、22V
    C、20V
    D、不确定

4、电路如图所示,输入信号ui = 1.414sin wtV,RF=2R1,则输出电压uO为 ( )。
    A、2×1.414 sinwt V
    B、-2×1.414 sinwt V
    C、1.414 sinwt V
    D、-1.414 sinwt V

5、电路如图所示,反相比例运算电路的输入电阻 ri1 与同相比例运算电路的输入电阻 ri2 相比较 ( ) 。
    A、ri1 大于 ri2
    B、ri1 小于 ri2
    C、ri1 等于 ri2
    D、不确定

6、电路如图所示,若ui一定,当可变电阻RP的电阻值由小适当增大时,则输出电压的变化情况为 ( ) 。
    A、由小变大
    B、基本不变
    C、由大变小
    D、不确定

加法运算电路随堂测验

1、电路如图所示,当R1 =R2=RF时,则输出电压uO为 ( )。
    A、-(ui2 - ui1)
    B、ui2 - ui1
    C、-(ui2 + ui1)
    D、ui2 + ui1

2、电路如图所示,欲满足uO = -(ui1+ ui2) 的运算关系,则 R1,R2,RF 的阻值必须满足( )。
    A、R1 = R2 = RF
    B、R1 = R2 =2RF
    C、R1 = RF =2R2
    D、2R1 = RF =R2

3、电路如图所示,R1= R2 =RF = 10kW,平衡电阻R 为( )。
    A、R =10k W
    B、R =3.33 kW
    C、R = 5k W
    D、R =20k W

减法运算电路随堂测验

1、电路如图所示,该电路为 ( )。
    A、加法运算电路
    B、减法运算电路
    C、同相比例运算电路
    D、反相比例运算电路

2、减法运算电路如图所示,其输出电压的表达式为( )。
    A、
    B、
    C、
    D、

3、电路如图所示,欲满足 uO = ui2 - ui1的运算关系,则 R 1,R 2,R3,R4的阻值必须满足( )。
    A、R1=R3 R2=R4
    B、R4=2R1 R2=R3
    C、R1=R4 R2=2R3
    D、R1=R2 =R3 =R4

积分与微分运算电路随堂测验

1、运算放大器电路如图所示,欲构成反相积分运算电路,则虚线框内应连接 ( )。
    A、电源元件
    B、电感元件
    C、电阻元件
    D、电容元件

2、运算放大器电路如图所示,欲构成反相微分运算电路,则虚线框内应连接 ( )。
    A、电阻元件
    B、电感元件
    C、电容元件
    D、电源元件

3、电路如图所示,该电路为 ( ) 运算电路。
    A、比例
    B、比例—积分
    C、微分
    D、加法

4、电路如图所示,该电路为( )运算电路。
    A、积分
    B、微分
    C、比例-微分
    D、比例

基本电压比较器随堂测验

1、双向稳压管的稳定电压为 ±UZ,且UZ 值小于运放的饱和电压值UO (sat),当ui < uR时,uO等于 ( )。
    A、零
    B、+UZ
    C、-UZ
    D、+UR

2、电路如图所示,运算放大器的饱和电压为±12V,双向稳压管DZ的稳定电压为 ± 8.6V,当输入电压uI= 2V时,输出电压uO 应为 ( )。
    A、+8 V
    B、+12V
    C、+8.6V
    D、-8 V

3、电路如图所示,运算放大器的饱和电压为 ± 12V,双向稳压管的稳定电压为± 6V,设正向压降为零,当输入电压uI= 2sinwt V时,输出电压uO 应为 ( )。
    A、幅值为± 12 V的方波
    B、幅值为± 6V的方波
    C、幅值为± 6 V的正弦波
    D、幅值为± 6 V的三角波

4、电路如图1 所示,运算放大器的饱和电压为±15V,双向稳压管DZ的稳定电压均为 ± 6V,设正向压降为零,输入电压uI 为正弦波,其波形如图2 所示,则输出电压uO 的波形为图3中的 ( )。
    A、(a)
    B、(b)
    C、(c)
    D、(d)

5、电压比较器的集成运放是工作在电压传输特性的 区,而基本运算电路中的集成运放是工作在电压传输特性的 区。

滞回电压比较器随堂测验

1、电路如图所示,滞回比较器为 ( ) 。
    A、
    B、
    C、
    D、

2、滞回比较器输出电压的跃变不是发生在同一门限电压上。

3、滞回比较器电路中引入了负反馈。

4、单限电压比较器电路简单、灵敏度高,但其抗干扰能力差。提高抗干扰能力的一种方案是采用滞回比较器。